半導(dǎo)體檢測、高頻測量、5G通信等設(shè)備對元器件的要求愈發(fā)極致——高精度（高頻穩(wěn)定輸出）、高密度（小型化集成化）、高響應(yīng)（寬溫工作信號低延遲）。

別急，歐姆龍器件與模塊解決方案推出MOSFET繼電器新品G3VM幫你適配工業(yè)級場景應(yīng)用需求實(shí)現(xiàn)設(shè)備改造升級！

歐姆龍G3VM系列MOS FET繼電器低C×R +迷你封裝，工業(yè)級硬核之選本次G3VM MOS FET繼電器新品，三款明星系列G3VM-21QR、G3VM-21QR1、G3VM-41QR4，可適用于半導(dǎo)體檢查裝置、各種計(jì)測儀器、通信設(shè)備、數(shù)據(jù)記錄器等應(yīng)用場景。

它的S-VSON (L) 封裝尺寸小（僅為microSD卡的1.7%左右），單繼電器僅0.01g，可實(shí)現(xiàn)電路板高密度貼裝，大幅減輕設(shè)備整體重量。

一、應(yīng)用價(jià)值：

高密度貼裝可提升同時(shí)測量數(shù)量；

輕量化封裝降低整體設(shè)備重量，提升設(shè)備設(shè)計(jì)靈活性；

可替換機(jī)械繼電器，減少電路改動和額外元器件，實(shí)現(xiàn)設(shè)備小型化、節(jié)能化。

二、性能優(yōu)勢提升

1、相比往年高速款，開關(guān)性能再提升

G3VM-21QR最大關(guān)斷/導(dǎo)通時(shí)間為0.08ms/0.12ms，G3VM-21QR1和G3VM-41QR4為0.15ms/0.1ms。

可縮短設(shè)備檢測時(shí)間，提升作業(yè)效率。

2、追求速度的同時(shí)，精度同步提升

G3VM-21QR典型值僅0.6pF（低電容可有效保障高頻特性），擁有最大1nA的低漏電流（低漏電流可有效保障測量精度）。

3、寬溫穩(wěn)定工作，適配更多工業(yè)場景

全型號工作環(huán)境溫度均為-40~+110℃。

可適配更多應(yīng)用場景，擁有更廣闊的市場拓展能力。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

主要面向半導(dǎo)體測試儀、高頻測量儀器等高頻、高精度檢測設(shè)備領(lǐng)域，是該類設(shè)備實(shí)現(xiàn)高集成、高速、高精度測試的關(guān)鍵元器件。

低C×R、迷你封裝、高速響應(yīng)，歐姆龍G3VM以硬核工業(yè)級實(shí)力幫助您在數(shù)字化發(fā)展浪潮中以小馭大、以快馭勝